L'any passat el Samsung Galaxy S3 va ser presentat amb una memòria RAM de 1 GB. Era un dels millors smartphones del moment, i sorprèn que tan sols un any després ja es parli de memòries RAM quatre vegades superiors. SK Hynix ha presentat les memòries RAM de 4 GB, amb tecnologia de 20 nanòmetres. Arribaran a final d'any.
La notícia arriba poc més d'un mes després que la companyia sud-coreana Samsung anunciada i presentés els mòduls de memòria RAM de 20 nanòmetres de 2 GB. En realitat, estaven composts per quatre unitats de memòria de 512 MB. SK Hynix ha anunciat les memòries que dupliquen en capacitat a aquestes, i també amb tecnologia de 20 nanòmetres.
Però el millor no és només el fet que aconsegueixin duplicar la capacitat de les memòries RAM de Samsung, sinó que a més aconseguirien velocitats de transmissió de 2.133 Mbps. Les memòries de Samsung, de tipus LPDDR3 no poden superar els 1.600 Mbps. Aquesta millora és significativa, ja que s'aconseguirà que el smartphone sigui més ràpid encara que les exigències també siguin més grans .
La companyia afirma que els primers smartphones que comptaran amb memòries superiors als 2 GB començaran a arribar a la segona meitat d'aquest any 2013, i podrien estar referint-se als nous Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL i potser algun altre smartphone de gamma alta. Tot i això, sembla que la companyia no tindria disponibles les unitats de memòria de 4 GB fins a finals d'any, moment en què començarà a produir-les de forma massiva.
Podem esperar, per tant, que els smartphones amb memòries de 4 GB s'hagin convertit en un estàndard el proper any 2014, havent estat aquest any el de la transició des de les memòries d'1 GB als smartphones amb memòries de 2 GB fins a la gamma mitjana. Serà la diferència en el funcionament realment notable?