Minulý rok byl Samsung Galaxy S3 představen s pamětí RAM o velikosti 1 GB. Šlo o jeden z nejlepších smartphonů současnosti a je s podivem, že o pouhý rok později se již mluví o čtyřnásobně vyšší paměti RAM. SK Hynix představil paměti RAM 4 GB s technologií 20 nanometrů. Dorazí koncem roku.
Tato zpráva přichází jen něco málo přes měsíc poté, co jihokorejská společnost Samsung oznámila a představila paměťové moduly. RAM 20 nanometrů po 2 GB. Ve skutečnosti se skládaly ze čtyř 512MB paměťových jednotek. Společnost SK Hynix oznámila, že jejich kapacita se zdvojnásobí a navíc s technologií 20 nanometrů.
Nejlepší ale není jen to, že se jim daří zdvojnásobit kapacitu pamětí RAM od Samsungu, ale také by dosahovaly přenosové rychlosti 2.133 3 Mbps Paměti Samsung typu LPDDR1.600 nemohou překročit XNUMX XNUMX Mbps Toto zlepšení je významné, protože zrychlí smartphone, i když nároky jsou také vyšší.
Společnost tvrdí, že první smartphony, které budou mít paměti větší než 2 GB, začnou přicházet v druhé polovině letošního roku 2013 a mohlo by se jednat o nový Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL a možná i některé jiný špičkový smartphone. Zdá se však, že společnost nebude mít k dispozici 4GB paměťové jednotky do konce roku, kdy zahájí sériovou výrobu.
Dá se tedy očekávat, že smartphony se 4GB pamětí se stanou standardem v roce 2014, tento rok byl rokem přechodu od 1GB paměti na smartphony s 2GB pamětí do střední třídy. Bude rozdíl ve výkonu opravdu znatelný?