L'année dernière, le Samsung Galaxy S3 a été présenté avec une mémoire RAM de 1 Go. C'était l'un des meilleurs smartphones du moment, et il est surprenant qu'un an plus tard, on parle déjà d'une mémoire RAM quatre fois supérieure. SK Hynix a présenté les mémoires RAM 4 Go, avec technologie 20 nanomètres. Ils arriveront à la fin de l'année.
La nouvelle survient un peu plus d'un mois après que la société sud-coréenne Samsung a annoncé et présenté les modules de mémoire. RAM 20 nanomètres de 2 Go. Ils étaient en fait constitués de quatre unités de mémoire de 512 Mo. SK Hynix a annoncé des mémoires qui doublent de capacité à celles-ci, et également avec une technologie de 20 nanomètres.
Mais la meilleure chose n'est pas seulement le fait qu'ils parviennent à doubler la capacité des mémoires RAM de Samsung, mais atteindrait également des vitesses de transmission de 2.133 3 Mb/s. Les mémoires Samsung, de type LPDDR1.600, ne peuvent dépasser XNUMX XNUMX Mb/s. Cette amélioration est significative, car elle rendra le smartphone plus rapide bien que les exigences soient également plus élevées.
La société affirme que les premiers smartphones qui auront une mémoire supérieure à 2 Go commenceront à arriver au second semestre de cette année 2013, et pourraient faire référence au nouveau Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL et peut-être certains autre smartphone haut de gamme. Cependant, il semble que la société ne disposera pas des unités de mémoire de 4 Go avant la fin de l'année, date à laquelle elle commencera la production en série.
On peut donc s'attendre à ce que les smartphones avec 4 Go de mémoire deviennent un standard en 2014, cette année ayant été l'année du passage de 1 Go de mémoire aux smartphones avec 2 Go de mémoire jusqu'au milieu de gamme. La différence de performance sera-t-elle vraiment perceptible ?