Tavaly a Samsung Galaxy S3-at egy memóriával mutatták be RAM 1 GB-ból. A pillanat egyik legjobb okostelefonja volt, és meglepő, hogy alig egy évvel később már négyszer nagyobb RAM-ról beszélnek. Az SK Hynix bemutatta az emlékiratokat RAM 4 GB, 20 nanométeres technológiával. Az év végén érkeznek.
A hír alig több mint egy hónappal azután érkezik, hogy a dél-koreai Samsung cég bejelentette és bemutatta a memóriamodulokat. RAM 20 nanométer 2 GB. Valójában négy 512 MB-os memóriaegységből álltak. Az SK Hynix bejelentette azokat a memóriákat, amelyek kapacitása megduplázódik ezekhez képest, ráadásul 20 nanométeres technológiával.
De nem csak az a legjobb, hogy sikerül megduplázniuk az emlékek kapacitását RAM a Samsungtól, de 2.133 Mbps átviteli sebességet is elérnének.Az LPDDR3 típusú Samsung memóriák nem haladhatják meg az 1.600 Mbps-ot Ez a javulás azért jelentős, mert gyorsabbá teszi az okostelefont, bár az igények is magasabbak.
A cég állítása szerint az első 2 GB-nál nagyobb memóriával rendelkező okostelefonok 2013 második felében fognak megjelenni, és az új Samsung Galaxy Note 3-ra, a HTC Butterfly S-re, a Sony Xperia UL-re és talán néhányra utalhatnak. más csúcskategóriás okostelefon. Úgy tűnik azonban, hogy a 4 GB-os memóriaegységek csak az év végéig lesznek elérhetők a cégnél, és ekkor kezdi meg a tömeggyártást.
Így arra számíthatunk, hogy 4-ben a 2014 GB memóriával rendelkező okostelefonok szabványossá válnak, az idei év volt az 1 GB memóriáról a 2 GB memóriás okostelefonokra való átállás éve, egészen a középkategóriáig. Tényleg érezhető lesz a különbség a teljesítményben?