Tahun lalu Samsung Galaxy S3 dihadirkan dengan sebuah memori RAM sebesar 1GB. Itu adalah salah satu smartphone terbaik saat itu, dan mengejutkan bahwa hanya setahun kemudian ada pembicaraan tentang memori RAM empat kali lebih tinggi. SK Hynix telah mempresentasikan memoarnya RAM 4 GB, dengan teknologi 20 nanometer. Mereka akan tiba di akhir tahun.
Berita itu muncul lebih dari sebulan setelah perusahaan Korea Selatan Samsung mengumumkan dan memperkenalkan modul memori. RAM 20 nanometer 2 GB. Mereka sebenarnya terdiri dari empat unit memori 512MB. SK Hynix telah mengumumkan memori yang dua kali lipat kapasitasnya, dan juga dengan teknologi 20 nanometer.
Tetapi hal terbaik bukan hanya fakta bahwa mereka berhasil menggandakan kapasitas ingatan RAM dari Samsung, tetapi juga akan mencapai kecepatan transmisi 2.133 Mbps. Memori Samsung, jenis LPDDR3, tidak dapat melebihi 1.600 Mbps. Peningkatan ini signifikan, karena akan membuat smartphone lebih cepat meskipun tuntutannya juga lebih tinggi.
Perusahaan menegaskan bahwa smartphone pertama yang akan memiliki memori lebih besar dari 2 GB akan mulai tiba pada paruh kedua tahun 2013 ini, dan dapat mengacu pada Samsung Galaxy Note 3 baru, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL dan mungkin beberapa smartphone kelas atas lainnya. Namun, tampaknya perusahaan tidak akan memiliki unit memori 4GB yang tersedia hingga akhir tahun, di mana ia akan memulai produksi massal.
Oleh karena itu, kami dapat berharap bahwa smartphone dengan memori 4 GB akan menjadi standar di tahun 2014, tahun ini merupakan tahun transisi dari memori 1 GB ke smartphone dengan memori 2 GB hingga kelas menengah. Akankah perbedaan performa benar-benar terlihat?