L'anno scorso il Samsung Galaxy S3 è stato presentato con un ricordo RAM di 1GB. Era uno dei migliori smartphone del momento, ed è sorprendente che a distanza di appena un anno si parli già di RAM quattro volte superiore. SK Hynix ha presentato le memorie RAM 4 GB, con tecnologia a 20 nanometri. Arriveranno a fine anno.
La notizia arriva poco più di un mese dopo che la società sudcoreana Samsung ha annunciato e introdotto i moduli di memoria. RAM 20 nanometri da 2 GB. In realtà erano costituiti da quattro unità di memoria da 512 MB. SK Hynix ha annunciato le memorie che raddoppiano in capacità a queste, e anche con tecnologia a 20 nanometri.
Ma la cosa migliore non è solo il fatto che riescono a raddoppiare la capacità dei ricordi RAM da Samsung, ma raggiungerebbe anche velocità di trasmissione di 2.133 Mbps. Le memorie Samsung, di tipo LPDDR3, non possono superare i 1.600 Mbps. Questo miglioramento è significativo, poiché renderà lo smartphone più veloce sebbene le richieste siano anche maggiori.
L'azienda sostiene che i primi smartphone che avranno memorie superiori a 2 GB inizieranno ad arrivare nella seconda metà di quest'anno 2013, e potrebbero riferirsi al nuovo Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL e forse qualche altro smartphone di fascia alta. Tuttavia, sembra che l'azienda non avrà le unità di memoria da 4 GB disponibili fino alla fine dell'anno, a quel punto inizierà la produzione di massa.
Possiamo quindi aspettarci che gli smartphone con memoria da 4 GB diventino uno standard nel 2014, quest'anno essendo stato l'anno del passaggio dalla memoria da 1 GB agli smartphone con memoria da 2 GB alla fascia media. La differenza di prestazioni si noterà davvero?