昨年、サムスンギャラクシーS3は記憶を提示されました RAM 1GBの。 現時点で最高のスマートフォンのXNUMXつでしたが、わずかXNUMX年後、すでにXNUMX倍のRAMが話題になっているのは驚くべきことです。 SKハイニックスが回想録を発表しました RAM 4 GB、20ナノメートルのテクノロジー。 彼らは年末に到着します。
このニュースは、韓国のサムスン社がメモリモジュールを発表して発表してからわずかXNUMXか月余りです。 RAM 20GBの2ナノメートル。 それらは実際には512つの20MBメモリユニットで構成されていました。 SKハイニックスは、これらの容量がXNUMX倍になり、XNUMXナノメートルの技術を備えたメモリを発表しました。
しかし、最高のことは、彼らが記憶の容量をXNUMX倍にすることができたという事実だけではありません RAM サムスンからですが、2.133Mbpsの伝送速度にも達します。LPDDR3タイプのサムスンメモリは1.600Mbpsを超えることはできません。需要も高くなりますが、スマートフォンが高速になるため、この改善は重要です。
同社によれば、2 GBを超えるメモリを搭載する最初のスマートフォンは、2013年の後半に登場し始め、新しいSamsung Galaxy Note 3、HTC Butterfly S、Sony Xperia UL、そしておそらくいくつかを参照している可能性があります他のハイエンドスマートフォン。 しかし、同社は年末まで4GBのメモリユニットを利用できないようで、その時点で量産を開始します。
そのため、4年には2014GBメモリのスマートフォンが標準となり、今年は1GBメモリから2GBメモリのスマートフォン、そしてミッドレンジへの移行の年となることが期待できます。 パフォーマンスの違いは本当に目立ちますか？