I fjor ble Samsung Galaxy S3 presentert med et minne RAM på 1 GB. Det var en av de beste smarttelefonene for øyeblikket, og det er overraskende at det bare et år senere allerede er snakk om fire ganger høyere RAM-minne. SK Hynix har presentert memoarene RAM på 4 GB, med teknologi på 20 nanometer. De kommer på slutten av året.
Nyheten kommer en drøy måned etter at det sørkoreanske selskapet Samsung annonserte og introduserte minnemodulene. RAM 20 nanometer på 2 GB. De var faktisk bygd opp av fire 512 MB minneenheter. SK Hynix har annonsert minnene som dobler i kapasitet til disse, og også med teknologi på 20 nanometer.
Men det beste er ikke bare det faktum at de klarer å doble kapasiteten til minnene RAM fra Samsung, men ville også nå overføringshastigheter på 2.133 Mbps. Samsungs minner, av typen LPDDR3, kan ikke overstige 1.600 Mbps. Denne forbedringen er betydelig, siden den vil gjøre smarttelefonen raskere selv om kravene også er høyere.
Selskapet opplyser at de første smarttelefonene som vil ha minner større enn 2 GB vil begynne å komme i andre halvdel av dette året 2013, og kan referere til den nye Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL og kanskje noen annen avansert smarttelefon. Det ser imidlertid ut til at selskapet ikke vil ha 4GB-minneenhetene tilgjengelig før slutten av året, da vil det begynne masseproduksjon.
Vi kan derfor forvente at smarttelefoner med 4 GB minne vil bli en standard i 2014, etter å ha vært året for overgangen fra 1 GB minne til smarttelefoner med 2 GB minne opp til mellomklassen. Vil forskjellen i ytelse virkelig merkes?