W zeszłym roku Samsung Galaxy S3 został zaprezentowany z pamięcią RAM 1 GB. Był to jeden z najlepszych smartfonów w tej chwili i zaskakujące jest to, że zaledwie rok później mówi się już o czterokrotnie wyższej pamięci RAM. SK Hynix przedstawił pamiętniki RAM 4 GB, z technologią 20 nanometrów. Przybędą pod koniec roku.
Wiadomość pojawiła się nieco ponad miesiąc po tym, jak południowokoreańska firma Samsung ogłosiła i wprowadziła moduły pamięci. RAM 20 nanometrów 2 GB. W rzeczywistości składały się z czterech jednostek pamięci 512 MB. SK Hynix ogłosił, że pamięć ma podwójną pojemność, a także technologię 20 nanometrów.
Ale najlepsze jest nie tylko to, że udaje im się podwoić pojemność wspomnień RAM od Samsunga, ale osiągałby również prędkość transmisji 2.133 Mb/s. Pamięci Samsunga typu LPDDR3 nie mogą przekroczyć 1.600 Mb/s. Ta poprawa jest znacząca, ponieważ sprawi, że smartfon będzie szybszy, choć wymagania są również wyższe.
Firma twierdzi, że pierwsze smartfony, które będą miały pamięć większą niż 2 GB, zaczną pojawiać się w drugiej połowie tego roku 2013 i mogą odnosić się do nowego Samsunga Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL i być może niektórych inny wysokiej klasy smartfon. Wygląda jednak na to, że do końca roku firma nie będzie miała dostępnych jednostek pamięci o pojemności 4 GB, kiedy to rozpocznie masową produkcję.
Możemy więc spodziewać się, że smartfony z pamięcią 4 GB staną się standardem w 2014 roku, w tym roku, w którym przechodziło się od 1 GB pamięci do smartfonów z pamięcią 2 GB do klasy średniej. Czy różnica w wydajności będzie naprawdę zauważalna?