Anul trecut, Samsung Galaxy S3 a fost prezentat cu o memorie RAM de 1 GB. A fost unul dintre cele mai bune smartphone-uri ale momentului și este surprinzător că doar un an mai târziu se vorbește deja de memorie RAM de patru ori mai mare. SK Hynix a prezentat memoriile RAM 4 GB, cu tehnologie de 20 de nanometri. Vor ajunge la sfârșitul anului.
Vestea vine la puțin peste o lună după ce compania sud-coreeană Samsung a anunțat și a introdus modulele de memorie. RAM 20 nanometri de 2 GB. Ele erau de fapt formate din patru unități de memorie de 512 MB. SK Hynix a anunțat amintirile care se dublează în capacitate față de acestea, dar și cu tehnologie de 20 de nanometri.
Dar cel mai bun lucru nu este doar faptul că reușesc să dubleze capacitatea amintirilor RAM de la Samsung, dar ar atinge și viteze de transmisie de 2.133 Mbps. Memoriile Samsung, de tip LPDDR3, nu pot depăși 1.600 Mbps. Această îmbunătățire este semnificativă, deoarece va face smartphone-ul mai rapid deși cerințele sunt și mai mari .
Compania sustine ca primele smartphone-uri care vor avea memorii mai mari de 2 GB vor incepe sa soseasca in a doua jumatate a acestui an 2013, si s-ar putea referi la noul Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL si poate la unele alt smartphone high-end. Cu toate acestea, se pare că compania nu ar avea disponibile unitățile de memorie de 4GB până la sfârșitul anului, moment în care va începe producția de masă.
Ne putem aștepta așadar ca smartphone-urile cu memorie de 4 GB să devină un standard în 2014, anul acesta fiind anul trecerii de la memorie de 1 GB la smartphone-urile cu memorie de 2 GB la gama medie. Se va observa cu adevărat diferența de performanță?