Lani je bil Samsung Galaxy S3 predstavljen s spominom RAM od 1 GB. Bil je eden najboljših pametnih telefonov tega trenutka in presenetljivo je, da se le leto pozneje že govori o štirikrat večjem RAM-u. SK Hynix je predstavil spomine RAM 4 GB, z 20 nanometrsko tehnologijo. Prišli bodo konec leta.
Novica prihaja nekaj več kot mesec dni po tem, ko je južnokorejsko podjetje Samsung objavilo in predstavilo pomnilniške module. RAM 20 nanometrov 2 GB. Dejansko so bili sestavljeni iz štirih pomnilniških enot s 512 MB. SK Hynix je napovedal pomnilnike, ki podvojijo zmogljivost teh, in tudi s tehnologijo 20 nanometrov.
A najboljše ni le to, da uspejo podvojiti kapaciteto spominov RAM od Samsunga, vendar bi dosegel tudi hitrost prenosa 2.133 Mbps. Samsung pomnilniki, tipa LPDDR3, ne smejo preseči 1.600 Mbps.To izboljšanje je pomembno, saj bo pametni telefon postal hitrejši, čeprav so tudi zahteve višje.
Podjetje trdi, da bodo prvi pametni telefoni, ki bodo imeli pomnilnik večji od 2 GB, začeli prihajati v drugi polovici letošnjega leta 2013 in bi se lahko nanašali na novi Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL in morda še nekatere drugi pametni telefon višjega razreda. Vendar se zdi, da podjetje ne bo imelo 4 GB pomnilniških enot na voljo do konca leta, takrat pa bo začelo množično proizvodnjo.
Zato lahko pričakujemo, da bodo pametni telefoni s 4 GB pomnilnika postali standard v letu 2014, letos pa je bilo leto prehoda s pomnilnika 1 GB na pametne telefone z 2 GB pomnilnika v srednji razred. Bo razlika v zmogljivosti res opazna?