Vitin e kaluar Samsung Galaxy S3 u prezantua me një memorie RAM prej 1 GB. Ishte një nga smartfonët më të mirë të momentit dhe është për t'u habitur që vetëm një vit më vonë flitet për memorie RAM katër herë më të lartë. SK Hynix ka prezantuar kujtimet RAM prej 4 GB, me teknologji 20 nanometra. Ata do të vijnë në fund të vitit.
Lajmi vjen pak më shumë se një muaj pasi kompania koreano-jugore Samsung njoftoi dhe prezantoi modulet e memories. RAM 20 nanometër prej 2 GB. Ato në fakt përbëheshin nga katër njësi memorie 512 MB. SK Hynix ka shpallur memoriet që dyfishohen në kapacitet për këto dhe gjithashtu me teknologjinë 20 nanometra.
Por më e mira nuk është vetëm fakti që arrijnë të dyfishojnë kapacitetin e kujtimeve RAM nga Samsung, por edhe do të arrinte shpejtësi transmetimi prej 2.133 Mbps.Kujtimet e Samsung, të tipit LPDDR3, nuk mund të kalojnë 1.600 Mbps.Ky përmirësim është domethënës, pasi do ta bëjë smartfonin më të shpejtë edhe pse kërkesat janë gjithashtu më të larta.
Kompania thekson se telefonat inteligjentë të parë që do të kenë memorie më të madhe se 2 GB do të fillojnë të mbërrijnë në gjysmën e dytë të këtij viti 2013 dhe mund t'i referohen Samsung Galaxy Note 3 të ri, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL dhe ndoshta disa. smartphone të tjerë të nivelit të lartë. Megjithatë, duket se kompania nuk do të ketë në dispozicion njësitë e memories 4 GB deri në fund të vitit, në të cilën pikë do të fillojë prodhimin masiv.
Prandaj mund të presim që telefonat inteligjentë me memorie 4 GB të bëhen standard në vitin 2014, ky vit ka qenë viti i kalimit nga memoria 1 GB në smartfonët me memorie 2 GB deri në intervalin e mesëm. A do të vërehet vërtet ndryshimi në performancë?