El año pasado el Samsung Galaxy S3 fue presentado con una memoria RAM de 1 GB. Era uno de los mejores smartphones del momento, y sorprende que tan solo un año después ya se hable de memorias RAM cuatro veces superiores. SK Hynix ha presentado las memorias RAM de 4 GB, con tecnología de 20 nanómetros. Llegarán a finales de año.
La noticia llega poco más de un mes después de que la compañía surcoreana Samsung anunciada y presentara los módulos de memoria RAM de 20 nanómetros de 2 GB. En realidad, estaban compuestos por cuatro unidades de memoria de 512 MB. SK Hynix ha anunciado las memorias que duplican en capacidad a estas, y también con tecnología de 20 nanómetros.
Pero lo mejor no es solo el hecho de que consigan duplicar la capacidad de las memorias RAM de Samsung, sino que además alcanzarían velocidades de transmisión de 2.133 Mbps. Las memorias de Samsung, de tipo LPDDR3 no pueden superar los 1.600 Mbps. Esta mejora es significativa, ya que se conseguirá que el smartphone sea más rápido aunque las exigencias también sean mayores.
La compañía afirma que los primeros smartphones que contarán con memorias superiores a los 2 GB comenzarán a llegar en la segunda mitad de este año 2013, y podrían estar refiriéndose a los nuevos Samsung Galaxy Note 3, HTC Butterfly S, Sony Xperia UL y puede que algún otro smartphone de gama alta. Sin embargo, parece que la compañía no tendría disponibles las unidades de memoria de 4 GB hasta finales de año, momento en que comenzará a producirlas de forma masiva.
Podemos esperar, por tanto, que los smartphones con memorias de 4 GB se hayan convertido en un estándar el próximo año 2014, habiendo sido este año el de la transición desde las memorias de 1 GB a lo smartphones con memorias de 2 GB hasta en la gama media. ¿Será la diferencia en el funcionamiento realmente notable?