去年三星 Galaxy S3 配备了内存 内存 1 GB。 它是目前最好的智能手机之一，令人惊讶的是，仅仅一年之后，就已经有人谈论 RAM 高出四倍。 SK海力士发表回忆录 内存 4 GB，采用 20 纳米技术。 他们将在年底到达。
这一消息是在韩国公司三星宣布并推出内存模块后一个多月发布的。 内存 20 纳米 2 GB。 它们实际上由四个 512MB 内存单元组成。 SK Hynix 宣布了容量翻倍的内存，以及 20 纳米技术。
但最好的事情不仅是他们设法将记忆容量增加了一倍 内存 来自三星，但也将达到 2.133 Mbps 的传输速度。三星内存，LPDDR3 类型，不能超过 1.600 Mbps。这一改进是显着的，因为它会使智能手机更快，尽管要求也更高。
该公司声称，第一批内存超过 2 GB 的智能手机将于 2013 年下半年上市，可能指的是新的三星 Galaxy Note 3、HTC Butterfly S、索尼 Xperia UL 以及一些其他高端智能手机。 但是，该公司似乎要到年底才能提供 4GB 内存单元，届时它将开始批量生产。
因此，我们可以预期，4GB 内存的智能手机将在 2014 年成为标准，今年是从 1GB 内存过渡到 2GB 内存的智能手机，直到中端。 性能差异真的很明显吗？